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MOS管驅動電阻器，和雙極浸提管不同的點，在于MOS管是電壓控制型器件，在應用過程中，相當于一個開關，漏極和源極之間有一個寄生二極管，它的驅動會相對比較復雜一些。

MOS管導通=開關閉合，導通后即有導通電阻，電流通過產生消耗能量，即導通損耗。

應用選擇：MOS管導通小電阻。

MOS管場效應管開關速度：導通與截止有一個過程，兩端電壓下降過程，流過的電流上升過程，此時

電壓X電流=MOS管損耗 即開關損耗

開關損耗 > 導通損耗

開關頻率越快，損耗越大

實際應用減小開關損耗方法

縮短開關時間：可減小每次導通時損耗；

降低開關頻率：可減小單位時間內開與關的次數

柵極電壓VGS

MOS管場效應管GS與GD間存有寄生電容，驅動MOS管實際是此電容充放電；

因電阻值大小影響開關速度，即影響MOS管開關損耗，MOS管場效應管柵極電阻器的電阻值應當選擇最適合的。

MOS管在線性區即電壓低于夾斷電壓中運行，此時導通電阻較低，

開關應用：可在低VDS區中用MOS管降低導通電阻。

柵極電壓VGS >閾值電壓Vth，MOS管導通。

VGS越高，RDS(ON)值越低

溫度越高，RDS(ON)值越高

減少損耗方法：

VGS增大，減小電子元器件應用時電流水平下電阻，即降低穩態損耗；

VGS值高，使高頻開關下驅動損耗與總損耗比率增大，因此選擇合適的MOS管及柵極驅動電壓很重要，常用導通電壓Vth：4V，10V

柵極電阻器如何選擇

MOS管場效應管柵極端子上連接電阻器

此柵極電阻器作用：抑制尖峰電流 + 減少輸出振鈴

柵極電阻器大：降低開關速度，即會使功率損耗增大+性能降低+發熱；

柵極電阻器小：提高開關速度，即會引發電壓尖峰和振蕩 + 電子元器件損壞或故障；

解決方案：

1.選擇最佳柵極電阻器；

2.調節柵極電阻器值，改善開關速度；

3.用不同柵極電阻器開通或關斷MOS管場效應管；

雖然驅動電路比較復雜，MOS管的開關特性獨一無二，無法取代的，MOS管從開關電源、馬達驅動、照明調光向汽車電子、新能源電力方面做相應的推廣。